"1、設備用IGBT作為元器件，前級全橋不可控整流,超大電容濾波,全橋逆變,配以多路閉環(huán)控制和保護控制采用串聯(lián)諧振,即電壓型頻率跟蹤,因此效率較高,功率因數(shù)也高. 2、從根本上改變了以可控硅為器件特征的KGPS中頻的高耗能,其優(yōu)點是大幅度節(jié)電,比可控硅中頻節(jié)能20-30%。 3、環(huán)保：無任何污染,減少斜波對電網(wǎng)的影響和污染。 主要用于工件（圓鋼、方鋼、棒料、管件等）的鍛造、透熱等工藝中，該設備加熱速度快，氧化脫碳少，加熱效率高，工藝重復性好。"