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4N60是一款高壓MOSFET,專為此而設(shè)計具有更好的特性,如切換時間快,門極低充電,低導(dǎo)通電阻和高崎嶇的雪崩特點。該功率MOSFET通常以高速度使用開關(guān)應(yīng)用在電源,PWM電機控制,高的DC到DC轉(zhuǎn)換器和橋接電路。4N60特征有:RDS(ON)=2.5Ω@VGS=10V,超低柵極電荷(典型15nC)等,4N60采用TO251和TO252封裝形式
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