一、QDMV高壓固態(tài)軟起動(dòng)器 產(chǎn)品應(yīng)用： QDMV高壓軟起動(dòng)裝置可根據(jù)現(xiàn)場負(fù)載性能進(jìn)行參數(shù)調(diào)節(jié)?？刂旗`活，操作簡單，起動(dòng)平穩(wěn)等特點(diǎn)，有效緩解電機(jī)起動(dòng)過

CMV系列高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置/高壓軟啟動(dòng)器 CMV高壓固態(tài)軟起動(dòng)器 我公司生產(chǎn)的CMV系列高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置，主要適用于鼠籠式異步、同步電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)和停止的控

高壓固態(tài)軟起動(dòng)： 1.高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜的價(jià)格是液阻柜的2～5倍 2.針對(duì)繞線電機(jī)轉(zhuǎn)子多線程機(jī)無所作為； 水阻軟起動(dòng)的優(yōu)勢(shì)： 1、它的電阻正比例于相對(duì)性的

高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置特點(diǎn)： 1、采用高壓功率晶閘管，組件式結(jié)構(gòu)、模塊化設(shè)計(jì)，便于安裝維護(hù)。 2、具有多重過電壓吸收、保護(hù)技術(shù)。 3、具備直接起動(dòng)功能。在維修

高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置采用32位ARM核微處理器進(jìn)行集中控制，配以高速的光釬驅(qū)動(dòng)和多種動(dòng)，靜態(tài)均壓保護(hù)措施，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高性能運(yùn)行。32位ARM核微控制器對(duì)進(jìn)行移相觸

高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置采用32位ARM核微處理器進(jìn)行集中控制，配以高速的光釬驅(qū)動(dòng)和多種動(dòng)，靜態(tài)均壓保護(hù)措施，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高性能運(yùn)行。32位ARM核微控制器對(duì)SCR進(jìn)行

YHGQ系列高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置采用32位ARM核微處理器進(jìn)行集中控制，配以高速的光釬驅(qū)動(dòng)和多種動(dòng)，靜態(tài)均壓保護(hù)措施，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高性能運(yùn)行。32位ARM核微控制器

YHGQ系列高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置采用32位ARM核微處理器進(jìn)行集中控制，配以高速的光釬驅(qū)動(dòng)和多種動(dòng)，靜態(tài)均壓保護(hù)措施，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高性能運(yùn)行。32位ARM核微控制器

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高壓固態(tài)軟起動(dòng)是一種集電動(dòng)機(jī)軟啟動(dòng)、軟停車、輕載節(jié)能和多種保護(hù)功能于一體的智能控制裝置，它具有沖擊電流小、恒流啟動(dòng)、可自由地?zé)o極調(diào)壓至啟動(dòng)節(jié)流及節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。

YHGQ系列高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置采用32位ARM核微處理器進(jìn)行集中控制，配以高速的光釬驅(qū)動(dòng)和多種動(dòng)，靜態(tài)均壓保護(hù)措施，實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高性能運(yùn)行。32位ARM核微控制器

采用高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置可以降低電機(jī)的啟動(dòng)沖擊電流，減少對(duì)電網(wǎng)和電機(jī)自身的沖擊。同時(shí)也減少對(duì)機(jī)械設(shè)備的沖擊，以延長設(shè)備的使用壽命，減少故障和停機(jī)。本裝置適用于冶金

高壓固態(tài)軟起動(dòng)裝置，對(duì)風(fēng)機(jī)系統(tǒng)﹑加藥系統(tǒng)、提升系統(tǒng)進(jìn)行了工藝優(yōu)化控制，采用了先進(jìn)的傳感測(cè)里技術(shù)和控制算法，根據(jù)生產(chǎn)需求自動(dòng)調(diào)節(jié)藥量，從而使全廠電耗和藥耗均得到大